“双碳”目标下,新能源汽车产业快速发展，车规功率半导体需求量激增,碳化硅器件凭借耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，已成为新能源汽车所需的关键元器件。目前，湖南三安碳化硅产品取得阶段性进展，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。

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  大尺寸碳化硅衬底方面，湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，依托精准热场控制的自主PVT工艺，实现了更低成本及更低缺陷密度，产品进入小批量生产及送样阶段，后续公司将继续注重良率提升，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。

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  碳化硅MOSFET方面，公司推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET，产品以高性能、高一致性和高可靠性为特点，并可根据定制化要求，提供多种灵活工艺方案。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC，两款产品均处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

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  产业合作方面，湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体（重庆）有限公司，专门生产8英寸碳化硅晶圆，该项目前期相关审批事项已成功获批，各项工作有序推进,预计2025年完成阶段性建设并投产,2028年实现达产。为确保合资公司原材料供应,三安还将利用自有的SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂, 以满足该合资厂的衬底需求。业内专家认为,此举将提升三安在碳化硅产业链的制造实力和综合竞争力。